【半導体】プラズマジェットを用いたアモルファスSi膜の結晶化技術を開発(31)
- 1 ◆NASA.emcN. ＠びらぼんφ ★ 2008/10/28(火) 18:09:45 ID:???
- 独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構の産業技術研究
助成事業の一環として、広島大学大学院先端物質科学研究科の准教授、
東清一郎氏は、薄膜トランジスタ（TFT）の製造工程に不可欠なアモルファス
Siの結晶化を出力が安定していて低コストのアーク放電による熱プラズマ
ジェットで実現しました。
これまで液晶や有機ELの表示素子に不可欠なTFTの作製は、アモルファス
Siにエキシマレーザーを照射して、熱処理で結晶化する技術が主流に
なっていますが、エキシマレーザーは出力が不安定で、装置の価格も
ランニングコストも高額なため、新たな高性能かつ低コストな加工法が
求められていました。
プラズマジェットによる本結晶化技術はこれらの問題を同時解決する
有力な新技術です。
本技術により、今後需要の拡大が予想される、大型テレビや携帯情報
端末等の液晶や有機EL表示素子の製造に不可欠なTFTの作製を低
コストで、しかも高精度、短時間で実現できます。
熱プラズマジェット照射によるミリ秒超急速熱処理における基板温度を
測定するために開発した非接触温度測定技術は、集積回路の製造工程での
加工温度モニタリングヘの応用も期待されています。
（長文の為抜粋しました。詳細は以下のソースをご覧下さい）
ソース：http://www.nedo.go.jp/informations/press/201028_1/201028_1.html
画像：http://www.nedo.go.jp/informations/press/201028_1/img01.jpg
新エネルギー・産業技術総合開発機構プレスリリース 2008年10月27日
【参考】
■NEDO
成果プレスダイジェスト（PDFファイル）
http://www.nedo.go.jp/informations/press/201028_1/seika.pdf
■広島大学大学院先端物質科学研究科
http://www.hiroshima-u.ac.jp/adsm/
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